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可控硅

可控硅晶闸管损坏原因分析判别

 

 可控硅晶闸管损坏原因分析判别

当可控硅晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。

 

1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

 

2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。

 

3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。 

 

 

点击次数:  更新时间:2015-08-21  【打印此页】  【关闭】
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